Е 321

Е 321

  • Транзистор 2Рў321Р•

2Т321Е
Транзисторы 2Т321Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.339.248 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т321Е:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40… 400;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т321А, 2Т321Б, 2Т321В, 2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
мА мА В В В мВт В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
2Т321А p-n-p 200 2000 50 60 4 210 20…60 2,5 100 100 >60 40 250 150 -60…+125
2Т321Б p-n-p 200 2000 50 60 4 210 40…120 2,5 100 100 >60 40 250 150 -60…+125
2Т321В p-n-p 200 2000 50 60 4 210 40…400 2,5 100 100 >60 40 250 150 -60…+125
2Т321Г p-n-p 200 2000 40 45 4 210 20…60 2,5 100 100 >60 40 250 150 -60…+125
2Т321Д p-n-p 200 2000 40 45 4 210 40…120 2,5 100 100 >60 40 250 150 -60…+125
2Т321Е p-n-p 200 2000 40 45 4 210 40…400 2,5 100 100 >60 40 250 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
КШ — коэффициент шума транзистора.
СК — емкость коллекторного перехода.
СЭ — емкость коллекторного перехода.
ТП max — максимально допустимая температура перехода.
Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

Источник: eandc.ru


Добавить комментарий